Professor Dr.-Ing. Heinrich Klar erlangte in den Jahren 1972 und 1976 die Titel Dipl.-Ing. beziehungsweise Dr.-Ing. an der Technischen Universität München. 1976 trat er in das Forschungslabor der Siemens AG ein. Am 1.10.1989 wechselte er an die Technische Universität Berlin. Dort war er als Professor am Institut für Mikroelektronik bis zu seiner Pensionierung am 1. 10. 2012 tätig. Seine Forschungsschwerpunkte waren integrierte digitale Schaltungen für die Signalverarbeitung, insbesondere für spike-verarbeitende neuronale Netze.

Im analogen Bereich arbeitete er an RF- (Radio-Frequenz-) Schaltungen für die drahtlose Kommunikation, an hochauflösenden und breitbandigen A/D-Wandlern und an Gigabit-Schaltkreisen.

Professor Dr.-Ing. Tobias G. Noll studierte Elektrotechnik an der Fachhochschule Koblenz sowie an der Tech­ni­schen Universität München und promovierte im Jahre 1989 an der Ruhr-Universität Bochum zum Dr.-Ing. Nach Tätigkeiten am Max-Planck-Institut fürRadio-Astronomie in Bonn und im Be­reich Bauelemente sowie im Forschungslabor der Siemens AG, München folgte er im Jahre 1992 einem Ruf auf eine Professur an der RWTH Aachen. Dort lehrt und forscht er am Lehr­stuhl für Allgemeine Elektrotechnik und Datenverarbeitungssysteme auf dem Gebiet des tech­no­logienahen Architektur- und Schaltungsentwurfs von zuverlässigen, flächen- und energie­effi­zienten digitalen CMOS-Schaltungen für hochratige Anwendungen der digitalen Signal­ver­ar­beitung. Schwerpunkte sind dabei der Entwurf für nanoskalige CMOS-Technologien und die quantitative Cross-Layer-Optimierung über alle Entwurfsebenen, von der algorithmischen Sys­temebene bis zur physikalischen Implementierungsebene.

Um konkurrenzfähige Logikbausteine entwerfen zu können, führt dieses Buch in die wichtigsten Methoden und Prinzipien der integrierten MOS-Schaltungstechnik ein. Die Verwendung von Zellbibliotheken zur Synthese von Logikbausteinen ohne Verständnis der integrierten MOS-Schaltungstechniken führt zu großen Chipflächen, hohen Verlustleistungen und niedrigen Taktzyklen, damit zu nicht konkurrenzfähigen Produkten.

Behandelt wird der Entwurf von digitalen, integrierten MOS-Bausteinen. Der Leser wird in die Lage versetzt, für die jeweilige Anwendung die günstigste Schaltungstechnik auszuwählen und anzuwenden und so das optimale Ergebnis zu erzielen. Früher waren die Chipfläche und die Taktfrequenz die wichtigsten Kriterien.

Einleitung.- Physik und Herstellung von MOS-Transistoren.- Leitungen.- Grundschaltungen.- Takte.- Halbleiterspeicher.- Arithmetische Module.- VLSI-Entwurfsmethoden.- Anhang für Kapitel 3.- Literaturverzeichnis.- Sachverzeichnis.